汉磊、嘉晶扩产 迎爆发性成长

汉磊、嘉晶月合并营收表现

晶圆代工厂汉磊及转投资磊晶厂嘉晶积极扩建氮化镓及碳化矽等第三代宽能隙半导体产能，在手订单能见度已看到明年上半年。

汉磊暨嘉晶董事长徐建华表示，汉磊是台湾第一家率先扩增SiC产能的晶圆代工厂，嘉晶是台湾唯一拥有GaN及SiC量产磊晶供应商，今年将积极扩大产能以迎接产业爆发性成长商机。

汉磊及嘉晶受惠于国际IDM大厂扩大委外，加上今年价格再度调涨，4月营收同创历史新高，第二季维持乐观展望。汉磊4月合并营收月增0.4％达7.38亿元，较去年同期成长29.8％，累计前四个月合并营收28.45亿元，较去年同期成长29.8％。嘉晶公告4月合并营收月增0.7％达5.06亿元，较去年同期成长28.0％，累计前四个月合并营收19.79亿元，较去年同期成长31.0％。

汉磊及嘉晶在致股东营运报告书中，说明将全力扩大布局GaN及SiC等第三代半导体相关产品的营业规模，以掌握半导体绿能及车用市场领域商机。徐建华在报告书中指出，汉磊去年营运转型成功，全年度转亏为盈，今年将在此基础上持续强化营运效率及导入高附加价值产品线，投资重点锁定在进入爆发成长的第三代半导体。

汉磊因IDM厂扩大下单包产能，功率半导体晶圆代工产线满载到年底，包括GaN及SiC晶圆代工订单能见度更已看到明年上半年。汉磊4吋及6吋SiC晶圆代工均已量产，合计月产能达1,000片6吋约当晶圆，今年将以6吋为扩产重点项目，希望今年内可扩增一倍至2,000片。至于6吋GaN晶圆代工接单满载，月产能将在今年增加一倍至2,000片。

嘉晶4～8吋磊晶矽晶圆月产能合计40万片，在供不应求情况下价格将逐季调涨。嘉晶去年底GaN磊晶片月产能约2,000片，SiC磊晶片月产能约600片，而嘉晶将投入4,000～5,000万美元扩产，2～3年内SiC磊晶片产能要增加7～8倍，GaN磊晶片产能要增加2～2.5倍。

徐建华表示，汉磊6吋SiC产线将快速进入量产并扩大产能，并且是台湾第一家率先扩增SiC产能的晶圆代工厂，在全球客源开发上占有极佳优势，并持续扩大车用领域布局。嘉晶在化合物半导体相关应用深耕多年，是目前国内唯一一家拥有SiC与GaN量产的磊晶供应商。汉磊及嘉晶将积极扩产以迎接产业爆发性成长商机，期许未来几年营运持续成长。

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